FAU-Ausgründung ATLANT 3D Nanosystems feiert großen Investment-Erfolg

Nachhaltige 3D-Druck-Technologie entwickelt an der FAU sichert sich 15 Millionen US-Dollar Förderung

Die Strukturierung von Halbleitern hat ein neues Zeitalter erreicht: Schneller, energiesparender und mit geringem Materialverbrauch dank atomgenauem 3D-Druck. Mit dieser Technologie beschäftigt sich das Start-up ATLANT 3D Nanosystems (ATLANT 3D) – eine Ausgründung der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), der Technical University of Denmark und dem Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences. Gerade erst konnte das Unternehmen eine Kapitalerhöhung von 15 Millionen US-Dollar abschließen.

ATLANT 3D ist ein dänisches Deep Tech-Start-up, das es sich zum Ziel gemacht hat, die Herstellung von Mikro- und Nanoelektronik nachhaltiger und leichter zugänglich zu machen. Gegründet wurde das Unternehmen von Professor Julien Bachmann, Leiter des FAU-Lehrstuhls Chemistry of Thin Film Materials, zusammen mit Dr. Maksym Plakhotnyuk, ehemaliger Postdoc an der Technical University of Denmark, und Ivan Kundrata vom Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences. Alle drei leiten die Ausgründung in Führungspositionen.

Prototyp stammt aus Erlangen

Der Prototyp der Firmentechnologie ist zu großen Teilen an der FAU entwickelt worden und geht neue Wege. Bisher stand in der Halbleiterindustrie die Physik im Mittelpunkt: Materialschichten um Materialschichten werden aufeinander aufgetragen, belichtet und anschließend strukturiert – der Prozess wird mehrmals wiederholt. Dabei entstehen viel Abfall, Kosten und Energieverbrauch. Julien Bachmann und sein Team konzentrierten sich stattdessen auf die chemische Komponente: Beim Direct Patterning, also der direkten Strukturierung der Halbleiter wird bewusst mit der natürlichen Selektivität von chemischen Prozessen gearbeitet, so dass Moleküle nur an den ‚richtigen‘ Stellen mit der Oberfläche reagieren können. So entsteht atomgenauer Druck selbst auf komplexen Oberflächen. Neben der Zeit-, Kosten- und Energieersparnis gibt es keine überschüssigen Materialschichten mehr, die sonst als Müll anfallen würden (siehe auch diese Pressemeldung zum Projekt „Fast track to innovation“).

Genau dieses Konzept hat der Ausgründung nun finanzielle Unterstützung in Höhe von 15 Millionen US-Dollar eingebracht. Die Investment-Runde, die ATLANT 3D unter die Arme greift, wird angeführt von der britischen Venture Capital-Firma West Hill Capital. Weitere Unterstützer sind bereits existierende Investoren sowie eine führende Gesellschaft aus Japan.

„Dank der Investition in ATLANT 3D sind wir unserer Vision von einer modernen, nachhaltigen und flexiblen Fertigungsplattform auf der Basis chemischer Intelligenz einen großen Schritt näher. Sie soll insbesondere die Halbleiterfertigung für ein breiteres Publikum endlich zugänglich machen. Diese Förderung unterstützt damit nicht nur unser Unternehmen, sondern die vielen Innovator/-innen weltweit, die dank ihr künftig ihre eigenen neuen Ideen werden realisieren und austesten können. Und die Grundsteine dafür wurden an der FAU gelegt“, erklärt Julien Bachmann.

Weitere Informationen

Julien Bachmann
Tel.: 09131/8570551
julien.bachmann@fau.de